2021年9月1日(水)〜9月3日(金)に開催された日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウムにおいて、M2 金子(健)が「優秀賞」2件を受賞しました。
2021年9月1日(水)〜9月3日(金)に開催された日本セラミックス協会 第34回秋季シンポジウムにおいて、M2 金子(健)が「優秀賞」2件を受賞しました。
透明酸化物半導体の室温エピタキシャル結晶成長制御、室温での光誘起反応を用いた半導体薄膜構造と物性制御に関する研究成果です。
真空紫外光照射によるNiOエピタキシャル薄膜の構造・物性への影響. 01-Sep-2021.
C面サファイア基板の表面処理によるZnO薄膜の室温エピタキシャル成長. 01-Sep-2021.
また、M2 渡邉が「奨励賞」を受賞しました。
室温でのレーザープロセスを用いた、ワイドバンドギャップ半導体薄膜の結晶成長制御に関する研究成果です。
エキシマレーザーアニーリングによる不純物ドープGa2O3薄膜の固相結晶化および特性評価. 01-Sep-2021.