ZnO薄膜の室温エピタキシー論文が掲載

学術論文, 研究業績 /

透明導電膜としても機能するワイドギャップ半導体である、酸化亜鉛(ZnO)の薄膜について、基板加熱やバッファ層などを用いずに室温におけるLaserMBEによりエピタキシャル成長を実現した研究成果が、Journal of the Ceramic Society of Japan (JCS-Japan) / Vol.131 Iss.8に掲載されました。D2 金子が筆頭著者です。
DOI: 10.2109/jcersj2.23022

Kenta Kaneko, Tomoaki Oga, Satoru Kaneko, Takayoshi Katase, Mamoru Yoshimoto, Akifumi Matsuda: Buffer-free epitaxial growth of ZnO(0001) thin films at room temperature by tetramethylammonium hydroxide pretreatment of α-Al2O3(0001) substrates. In: Journal of the Ceramic Society of Japan, vol. 131, iss. 8, pp. 383-388, 2023.