2023年11月9日(木)~11月10日(金)、東京工業大学 すずかけ台キャンパスにおいて開催された日本セラミックス協会 第43回電子材料研究討論会にて、M1 河村、喬が研究発表をしました。
本研究討論会は、日本セラミックス協会 電子材料部会が主催する、電子材料やデバイス、プロセスに関連した研究成果について講演、議論がなされる研究会です。
1.
喬宇馳, 金子健太, 山中悠生, 金子智, 吉本護, 松田晃史
真空紫外線照射による亜酸化銅エピタキシャル薄膜の表面構造変化と導電性向上 Presentation
第42回電子材料研究討論会, P08, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, 09-Nov-2023.
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2.
河村和哉, 金子健太, 金子智, 吉本護, 松田晃史
La3Ni2O7エピタキシャル薄膜のPLD合成と水素熱処理による構造・物性変化 Presentation
第42回電子材料研究討論会, P09, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, 09-Nov-2023.
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author = {河村和哉 and 金子健太 and 金子智 and 吉本護 and 松田晃史},
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