Si上の酸化物結晶成長解析の論文が掲載

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シリコン(Si)基板上における酸化物成長の安定性に関する共同研究の成果がScientific Reports / Vol.14に掲載されました。密度汎関数理論を用いた結晶成長方向の計算と実際の成膜結果との比較から、これまで熱的安定性のみで評価されてきたSi基板上の酸化物合成に、結晶学的考察を加えることを可能とする研究成果となりました。特別研究員の金子 智氏が筆頭著者です。
DOI: 10.1038/s41598-024-61564-8

Satoru Kaneko, Takashi Tokumasu, Manabu Yasui, Masahito Kurouchi, Daishi Shiojiri, Shigeo Yasuhara, Sumanta Kumar Sahoo, Musa Mutlu Can, Ruei Sung Yu, Kripasindhu Sardar, Masahiro Yoshimura, Masaki Azuma, Akifumi Matsuda, Mamoru Yoshimoto: Crystal orientation of epitaxial film deposited on silicon surface. In: Scientific Reports, vol. 14, pp. 10891, 2024.