酸化銅系のp型半導体について光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がJournal of the Ceramic Society of Japan / Vol.133に掲載されました。
単結晶基板上に合成した亜酸化銅Cu2Oのエピタキシャル薄膜に対して、真空紫外線を室温で照射することにより、結晶配向構造を維持したまま導電性の高い酸化銅CuOに構造変換されることを見出しました。太陽電池のホール輸送層などの合成に用いることができるプロセスに関する研究成果です。松田研M2のQiao Yuchiが筆頭著者です。
Yuchi Qiao, Kenta Kaneko, Itsuki Osawa, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto, Akifumi Matsuda: Effect of vacuum-ultraviolet irradiation on structure and resistivity of epitaxial copper oxide thin films. In: Journal of the Ceramic Society of Japan, vol. 132, iss. 7, pp. 381–386, 2024.