2024年9月3日(火)~9月4日(水)、信州大学工学部 (長野キャンパス)で開催された第40回 日本セラミックス協会 関東支部研究発表会にて、M1 山中が研究成果を発表しました。
p型酸化物半導体についてレーザーMBE法を用いて室温エピタキシャル薄膜成長を実現し、加えて見出した還元性雰囲気下のアニーリングによるトポタキシャルな結晶還元について講演し、新規な酸化物エピタキシャル機能性セラミックス薄膜合成を基軸とした薄膜ナノ材料創造・物性制御に向けて研究を進捗させる議論が得られました。
関東支部の研究発表会は、主に修士学生の研究発表に対して拡げられる、様々な分野の先生方や学生と議論や意見交換が魅力です。
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山中悠生, 河村和哉, 金子智, 松田晃史
Ni1–xFexO薄膜の室温成長およびH2還元によるfcc型Ni1–xFexエピタキシャル薄膜の作製 Presentation
第40回 日本セラミックス協会 関東支部研究発表会, A14, 信州大学, 長野県長野市, Japan, 03-Sep-2024.
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