酸化ニッケルp型半導体薄膜の構造・物性制御の論文が掲載

ワイドギャップp型半導体である酸化ニッケルについて光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がApplied Surface Science / Vol.689に掲載されました。

単結晶基板上に合成した酸化ニッケルNiOエピタキシャル薄膜に対して、真空紫外線を室温で照射することにより光誘起活性酸素を介して、エピタキシャル構造を維持したまま導電性の薄膜表面のNi²⁺イオンをNi³⁺イオンに酸化し、導電性が最大10⁴程度向上することを見出しました。ペロブスカイト太陽電池のホール輸送層やガスセンサをはじめとする幅広い応用が期待できる研究成果です。松田研D3の金子 健太が筆頭著者です。

DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.162405