ワイドギャップ半導体である酸化ガリウムβ-Ga2O3薄膜のレーザープロセスによる急速固相結晶化とパターニングに関する共同研究の成果がApplied Physics Express / Vol.18に掲載されました。アモルファスGa2O3薄膜に対してパルスエキシマレーザーを照射し、大気中の室温環境で位置選択的に数100パルスという短時間でエピタキシャル固相結晶化を誘起する技術を見出しました。深紫外オプトエレクトロニクスやパワーエレクトロニクスに幅広く応用可能な研究成果です。神奈川県立産業技術総合研究所(KISTEC)の塩尻 大士氏が筆頭著者です。
DOI: 10.35848/1882-0786/ada247
Surface patterning of wide-gap semiconducting β-Ga2O3 thin films by area selective crystallization via room-temperature excimer laser annealing and low toxic wet-etching processes. In: Applied Physics Express, vol. 18, no. 1, pp. 015501, 2025.