p型半導体である酸化コバルトについて紫外光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がThe Journal of Physical Chemistry / Vol.129に掲載されました。
単結晶基板上に合成した酸化ニッケルCoOエピタキシャル薄膜について、真空紫外線により光誘起された活性酸素種による表面酸化とトポタキシャルな構造変化、および導電性の制御を見出しました。太陽電池のホール輸送層やガスセンサ、光触媒をはじめとする幅広い応用が期待できる研究成果です。松田研D3の金子 健太が筆頭著者です。
Vacuum ultraviolet-enhanced topotactic phase transition and physical properties at surface of cobalt oxide epitaxial thin films. In: The Journal of Physical Chemistry C, vol. 129, iss. 6, pp. 3264–3271, 2025.