酸化チタン薄膜の結晶相選択的エピタキシャル成長の論文が掲載

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単結晶基板上に酸化チタン系エピタキシャル薄膜の相選択的結晶成長に関する共同研究の成果がApplied Surface Science Advances / Vol. 26に掲載されました。

パルスレーザー堆積により200℃の低温で単結晶状のエピタキシャルな酸化チタン薄膜成長を得ることができ、この条件制御により光触媒としても知られるルチル型TiO2結晶および金属ー絶縁体転移を示す六方晶Ti2O3結晶を選択的に合成できることを見出しました。センサー材料や環境・エネルギー分野のデバイス創製などに応用が期待される研究成果です。高輝度光科学研究センター(JASRI)のJiayi Tang氏が筆頭著者です。

DOI: 10.1016/j.apsadv.2025.100706

Jiayi Tang, Okkyun Seo, Jaemyung Kim, Ibrahima Gueye, L. S. R. Kumara, Ho Jun Oh, Wan-Gil Jung, Won-Jin Moon, Yong Tae Kim, Satoshi Yasuno, Tappei Nishihara, Mamoru Yoshimoto, Akifumi Matsuda, Osami Sakata: Selective phase growth of ultra-smooth Ti2O3 and TiO2 thin films at low growth temperature controlled by the oxygen partial pressure. In: Applied Surface Science Advances, vol. 26, pp. 100706, 2025.