2018年9月18日(火)~9月21日(金)、名古屋国際会議場で開催された第79回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、社会人D2 丸、M2 池谷・伊藤・岩佐・山田、およびM1 森田・大賀・堀松・中西が研究発表をしました。
研究成果をプレゼンした後は、名古屋名物を食べて次の研究の英気を養いました。
森田公之, 大賀友瑛, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護
アモルファスGa2O3薄膜のエキシマレーザー照射による室温固相エピタキシーにおける作製因子の検討 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “21.1: 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」”, 20p-234A-5, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 20-Sep-2018.
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中西昴, 岩佐健, 金子智, 木村好里, 松田晃史, 吉本護
PLD法による酸化バナジウム系アモルファス薄膜の作製と熱電特性評価 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “16.2: エナジーハーベスティング”, 19a-231A-2, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 19-Sep-2018.
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山田志織, 岩佐健, 大賀友瑛, 金子智, 松田晃史, 吉本護
0.3 nm高さの直線状原子ステップを有するPMMA及びポリイミドシートにおける光化学反応および成膜による表面特性の制御 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “12.1: 作製・構造制御”, 19p-231C-2, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 19-Sep-2018.
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岩佐健, 大賀友瑛, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護
周期的ナノパターン表面を有するポリマー基板上への酸化物半導体薄膜の作製と電気特性評価 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “7.3: 微細パターン・微細構造形成技術”, 19p-234A-9, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 19-Sep-2018.
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伊藤翔陽, 堀松芳樹, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護
一軸加圧下熱処理による層状Li-Ni系エピタキシャル薄膜の構造制御 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “21: 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」”, 19p-PB8-23, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 19-Sep-2018.
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池谷侑紀, 土嶺信男, 金子智, Seo Okkyun, 坂田修身, 松田晃史, 吉本護
岩塩型Ni1-XFeXO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “21: 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」”, 19p-PB8-11, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 19-Sep-2018.
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堀松芳樹, 伊藤翔陽, 難波諒太郎, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護
一軸加圧下熱処理による層状La-Ni-O系薄膜の作製及び構造と特性評価 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “6.4: 薄膜新材料”, 18p-PA2-6, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 18-Sep-2018.
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大賀友瑛, 森田公之, 池谷侑紀, 土嶺信男, 金子智, 松田晃史, 吉本護
紫外エキシマ光/レーザー照射によるβ-Ga2O3薄膜の室温固相結晶化プロセスの検討 Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “6.4: 薄膜新材料”, 18p-PA2-8, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 18-Sep-2018.
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丸明史, 松田晃史, 吉本護
微細半導体プロセスにおける宇宙空間シングルイベント耐性強化技術の検討(2) Presentation
第79回応用物理学会秋季学術講演会, “1.1: 応用物理一般・学際領域”, 18p-225A-3, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 18-Sep-2018.
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