ワイドギャップ半導体である酸化ガリウムβ-Ga2O3薄膜のレーザープロセスによる急速固相結晶化とパターニングに関する共同研究の成果がApplied Physics Express / Vol […]

ワイドギャップp型半導体である酸化ニッケルについて光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がApplied Surface Science / Vol.689に掲載

2024年9月16日(月)～9月20日(金)、朱鷺メッセ(ほか2会場)およびオンラインのハイブリッド形式で開催された第85回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、M2 河村が研究成果を発表しま

2024年9月10日(火)～9月12日(木)、名古屋大学 東山キャンパスで開催された日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウムにて、D3 金子、D2 甲斐が研究発表をしました。 また、松

2024年9月3日(火)～9月4日(水)、信州大学工学部 (長野キャンパス)で開催された第40回 日本セラミックス協会 関東支部研究発表会にて、M1 山中が研究成果を発表しました。p型酸化物

2024年9月10日(火)～9月12日(木)に開催された日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウムにおいて、D3 金子が特定セッション『17 グリーン・プロセッシング～低環境負荷プロセス

酸化銅系のp型半導体について光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がJournal of the Ceramic Society of Japan / Vol.1

2024年5月、学部3年生向けの講義「研究プロジェクト」の一環で、2回にわたり学生が研究室体験に訪れました。研究室体験では、パルスレーザー堆積による単結晶基板上の薄膜結晶成長や、原子間力顕微

2024年3月14日(木)～3月16日(土)に開催された日本セラミックス協会 2024年年会において、D3 金子が「優秀ポスター発表賞 日本電気硝子賞」(発表時の学年はD2)を受賞しました。

シリコン(Si)基板上における酸化物成長の安定性に関する共同研究の成果がScientific Reports / Vol.14に掲載されました。密度汎関数理論を用いた結晶成長方向の計算と実際