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単結晶基板上に酸化チタン系エピタキシャル薄膜の相選択的結晶成長に関する共同研究の成果がApplied Surface Science Advances / Vol. 26に掲載されました。 […]

p型半導体である酸化コバルトについて紫外光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がThe Journal of Physical Chemistry / Vol.1

ワイドギャップ半導体である酸化ガリウムβ-Ga2O3薄膜のレーザープロセスによる急速固相結晶化とパターニングに関する共同研究の成果がApplied Physics Express / Vol

ワイドギャップp型半導体である酸化ニッケルについて光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がApplied Surface Science / Vol.689に掲載

酸化銅系のp型半導体について光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がJournal of the Ceramic Society of Japan / Vol.1

2024年5月、学部3年生向けの講義「研究プロジェクト」の一環で、2回にわたり学生が研究室体験に訪れました。研究室体験では、パルスレーザー堆積による単結晶基板上の薄膜結晶成長や、原子間力顕微

シリコン(Si)基板上における酸化物成長の安定性に関する共同研究の成果がScientific Reports / Vol.14に掲載されました。密度汎関数理論を用いた結晶成長方向の計算と実際

2024年4月より、新入生3名（M1：2名、B4：1名）を研究室に迎えました。また学部4年生の修士課程への進学、また在校生の進級もあり、2024年度も楽しく研究が始められます。 2024年4

2024年3月25日(月)、この春に退職される吉本先生への謝恩・歓送会を大学からほど近い「みちのく 長津田」にて開催しました。吉本先生は約30年と長きにわたり、機能性セラミックスや非晶質、ポ

2023年11月9日(木)〜11月10日(金)に開催された日本セラミックス協会 第43回電子材料研究討論会において、M1 喬が「奨励賞」を受賞しました。 室温での光誘起反応を用いた、半導体薄