Si上の酸化物結晶成長解析の論文が掲載
シリコン(Si)基板上における酸化物成長の安定性に関する共同研究の成果がScientific Reports / Vol.14に掲載されました。密度汎関数理論を用いた結晶成長方向の計算と実際 […]
Si上の酸化物結晶成長解析の論文が掲載 Read More »
シリコン(Si)基板上における酸化物成長の安定性に関する共同研究の成果がScientific Reports / Vol.14に掲載されました。密度汎関数理論を用いた結晶成長方向の計算と実際 […]
Si上の酸化物結晶成長解析の論文が掲載 Read More »
透明導電膜としても機能するワイドギャップ半導体である、酸化亜鉛(ZnO)の薄膜について、基板加熱やバッファ層などを用いずに室温におけるLaserMBEによりエピタキシャル成長を実現した研究成
ZnO薄膜の室温エピタキシー論文が掲載 Read More »
超ワイドギャップ半導体である、β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)薄膜について、室温・大気環境でレーザープロセスを用いることにより、フレキシブルポリマーシート上において優れた結晶配向性を示す薄
フレキシブル基板上の配向性Ga2O3薄膜合成の論文が掲載 Read More »