学術論文

単結晶基板上に酸化チタン系エピタキシャル薄膜の相選択的結晶成長に関する共同研究の成果がApplied Surface Science Advances / Vol. 26に掲載されました。 […]

p型半導体である酸化コバルトについて紫外光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がThe Journal of Physical Chemistry / Vol.1

ワイドギャップ半導体である酸化ガリウムβ-Ga2O3薄膜のレーザープロセスによる急速固相結晶化とパターニングに関する共同研究の成果がApplied Physics Express / Vol

ワイドギャップp型半導体である酸化ニッケルについて光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がApplied Surface Science / Vol.689に掲載

酸化銅系のp型半導体について光プロセスによるエピタキシャル薄膜構造・導電性制御に関する研究成果がJournal of the Ceramic Society of Japan / Vol.1

シリコン(Si)基板上における酸化物成長の安定性に関する共同研究の成果がScientific Reports / Vol.14に掲載されました。密度汎関数理論を用いた結晶成長方向の計算と実際

透明導電膜としても機能するワイドギャップ半導体である、酸化亜鉛(ZnO)の薄膜について、基板加熱やバッファ層などを用いずに室温におけるLaserMBEによりエピタキシャル成長を実現した研究成

超ワイドギャップ半導体である、β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)薄膜について、室温・大気環境でレーザープロセスを用いることにより、フレキシブルポリマーシート上において優れた結晶配向性を示す薄